08/05/2019
Automática e Instrumentación
Dispositivos de potencia de carburo de silicio (SiC)
Los MOSFET de SiC de 700V y diodos de barrera Schottky de SiC de 700V y 1200V de Microchip se unen a su catálogo existente de módulos de potencia de SiC. Los MOSFET de SiC de 700V y diodos de barrera Schottky de SiC de 700V y 1200V de Microchip se unen a su catálogo existente de módulos de potencia de SiC.// FOTO: Microchip.
Microchip ha anunciado, a través de su filial Microsemi, la producción de una familia de dispositivos de potencia de SiC que ofrecen “las ventajas de una robustez demostrada y las prestaciones de la tecnología de gran salto de banda”. Los dispositivos de SiC, junto con la gama de microcontroladores y soluciones analógicas de Microchip, se unen a la familia de productos de SiC. Estas socluiones cubren la necesidad para mejorar la eficiencia, robustez y densidad de potencia del sistema en vehículos eléctricos y otras aplicaciones de alta potenciadentro de los mercados industrial, aeroespacial y de defensa.

Los MOSFET de SiC de 700V y diodos de barrera Schottky de SiC de 700V y 1200V de Microchip se unen a su catálogo existente de módulos de potencia de SiC. Los más de 35 productos discretos que se han añadido al catálogo de Microchip se encuentran disponibles en volumen y cuentan con el soporte de una amplia variedad de servicios de desarrollo, herramientas y diseños de referencia, así como de una robustez demostrada mediante pruebas rigurosas, según aseguran desde la compañía. La familia de pastillas de semiconductores, componentes discretos y módulos de potencia de SiC se suministran con diferentes valores de tensión, corriente y tipos de encapsulado.

Los MOSFET y diodos de barrera Schottky de SiC de Microchip ofrecen una conmutación más eficiente a frecuencias más altas y superan las pruebas de robustez a niveles que se consideran críticos para garantizar la fiabilidad a largo plazo. Los diodos de barrera Schottky de SiC de la compañía mejoran en un 20% aproximadamente las prestaciones de los otros diodos de SiC en las pruebas de robustez UIS (Unclamped Inductive Switching), que miden cómo resisten los dispositivos la degradación o el fallo prematuro en caso de avalancha, que se produce cuando un pico de tensión supera la tensión de ruptura del dispositivo.

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