El consorcio de investigación Chip Alliance, liderado por IBM con seis colaboradores (Chartered, Freescale, Infineon, Samsung, STMicroelectronics y Toshiba), acaba de anunciar una nueva estructura de transistor más rápido y menos consumidor de energía, proponiendo ya un kit de diseño de estos futuros circuitos integrados a 32 nm (45 nm en los circuitos integrados actuales más avanzados).
La nueva estructura está basada en un rejilla metálica y un aislante de elevada constante dieléctrica K. En comparación con la estructura tradicional de rejilla en polisilicio y sílice, esta tecnología aumenta la velocidad de tratamiento, a la vez que disminuye los pérdidas de corriente y, por tanto, el consumo de energía. Permite la migración a un grabado más fino sin aumentar el consumo de corriente.
Según IBM y sus colaboradores, gracias a esta nueva tecnología, el paso de 45 nm a 32 nm se traduce en una mejora del 35% de las características a tensión de alimentación equivalente y una baja de consumo del 30 al 50% en función de la tensión.
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