Las soluciones de infraestructura energética de onsemi ya están disponibles en Farnell

Farnell anuncia la disponibilidad de sus nuevos productos EliteSiC de carburo de silicio (SiC), altamente optimizados para las soluciones de infraestructura energética de onsemi. Estos nuevos dispositivos cumplen los requisitos de rendimiento de la próxima generación gracias a sus reducidas pérdidas de conmutación bajo condiciones reales si se comparan con sus competidores.

Entre los productos de onsemi que ahora están disponibles en Farnell se encuentran:

• EliteSiC de potencia de un solo canal N con características como RDS(on)= 80 m típ., carga de puerta ultra baja (típ. QG(tot) = 56 nC), baja capacidad efectiva de salida (típ. Coss = 79 pF), TJ = 175°C y 100% prueba de avalancha
• EliteSiC MOSFET NXH006P120MNF2 un módulo de potencia que contiene un MOSFET de SiC de medio puente de 6 mohm / 1200 V y un termistor en encapsulado F2. Entre las opciones se encuentran el suministro con o sin material de interfaz térmica (TIM) preaplicado y patillas soldables o a presión.

Adrian Cotterill, Global Product Segment Lead, Discrete Transistors & WBG de Farnell, comenta: "Se trata de una incorporación clave a la cartera de Farnell que garantizará el desarrollo de infraestructuras energéticas usando componentes de más categoría y la mejor calidad por los que onsemi es reconocida. Estos nuevos productos de SiC, altamente optimizados, cumplen los requisitos más recientes de rendimiento de las aplicaciones finales de las infraestructuras energéticas”.